什么是“硅半導體壓力傳感器”？
硅半導體傳感器屬于壓阻式傳感器，一般分為擴散硅傳感器和單晶硅傳感器。在半導體材料中，電阻率改變會引起測量信號發(fā)生變化，這些都是因晶體結構中電子移動發(fā)生變化而產(chǎn)生的，而電子移動又會受到機械載荷的影響。敏感的硅芯片及過程介質被不銹鋼膜片（封裝）隔離。根據(jù)具體應用要求，石蠟油或硅油可用作導壓流體，用于內(nèi)部壓力變送。
什么是“陶瓷厚膜壓力傳感器”？
傳感器基體采用一體式陶瓷制成，而厚膜電阻直接印刷在其膜片背面。在這一面，環(huán)境氣壓起到參考壓力的作用，因此這種方法原則上只能測量表壓。陶瓷測量芯體具有出色的長期穩(wěn)定性和耐腐蝕性，因而從同類產(chǎn)品中脫穎而出。由于陶瓷無法被焊接至過程連接中，因此需要用密封件實現(xiàn)介質隔離。在陶瓷薄膜技術中，四個電阻彼此連接，形成惠斯通電橋。膜片在受壓時，中央?yún)^(qū)域會產(chǎn)生應變，邊緣區(qū)域則形成壓縮力，二者同時作用于電阻。在陶瓷芯體中，測量膜片同時也起到隔離介質的作用。該技術無需內(nèi)部導壓流體。
什么是“金屬薄膜壓力傳感器”？
傳感器基體由不銹鋼制成，電阻結構采用光刻技術生產(chǎn)。薄膜測量芯體能夠有效耐受峰值壓力和爆破壓力，因而從同類產(chǎn)品中脫穎而出。即便是極高的壓力，甚至在高沖擊和高振動載荷下，也能可靠測量。在金屬薄膜技術中，四個電阻彼此連接，形成惠斯通電橋。膜片在受壓時，中央?yún)^(qū)域會產(chǎn)生應變，邊緣區(qū)域則形成壓縮力，二者同時作用于電阻。在薄膜芯體中，測量膜片同時也起到隔離介質的作用。該技術無需內(nèi)部導壓流體。一般而言，薄膜技術僅用于表壓測量，這是因為在薄膜背面形成真空需要較為復雜的結構設計。