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　　硫化鈷(IV)—二硫化鈷（CoS2）

　　1，物理性質(zhì)：

　　CAS號(hào)：12013-10-4

　　分子量:123.06

　　性狀：立方晶系黑色結(jié)晶

　　密度（g/mL,25℃）：4.3

　　2，規(guī)格：

　　含量3N5（99.95）以上

　　3，包裝：瓶裝：1公斤/瓶，瓶外加鋁復(fù)合薄膜真空包裝；

　　4，貯存方法

　　常溫密閉避光，通風(fēng)干燥處

　　5，提供MSDS及使用的防護(hù)措施

　　公司主要生產(chǎn)，研發(fā)，銷售各種高純金屬材料，半導(dǎo)體化合物，真空鍍膜材料，高純高致密磁控濺射靶材，各種合金產(chǎn)品。公司以誠信為本，質(zhì)量為經(jīng)營理念。以市場為先導(dǎo)，不斷，研發(fā)各種材料，滿足客戶需求。公司位于成都市錦江工業(yè)園區(qū)，距雙流國際機(jī)場25公里。

　　公司現(xiàn)有靶材熱壓爐；真空蒸餾裝置，電解槽，單晶爐，區(qū)熔裝置，CVD（化學(xué)氣象沉積）裝置，PVD（物象沉積）裝置，移動(dòng)式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產(chǎn)研發(fā)設(shè)備；提純工藝包括：真空蒸餾；精餾；區(qū)域熔煉；電解；化學(xué)氣象沉積；物象沉積；熱擴(kuò)散；單晶提拉法等。材料種類包括：光電材料，熱電材料，相變材料，鍍膜材料等。純度從99.99-99.99999,材料應(yīng)用于光伏，光電，電子行業(yè)，鍍膜，醫(yī)藥行業(yè)，，科研等領(lǐng)域。

　　產(chǎn)品范圍包括特種陶瓷，單質(zhì)金屬，合金，半導(dǎo)體化合物及各種復(fù)雜合成的新材料 及制品（純度從低至高，高至99.99999）。 尤其在磁控濺射靶材,真空鍍膜材料,高純化合物半導(dǎo)體材料，蒸餾稀土金屬,稀土合金，稀土氟化物，特種合金具有極大的優(yōu)勢。

　　自有設(shè)備：真空熱壓爐，真空中頻感應(yīng)熔煉爐，冷坩堝懸浮熔煉爐，非自耗真空電弧爐，真空高溫加熱爐，真空燒結(jié)爐，真空蒸餾爐，定向凝固，區(qū)域熔煉爐，多溫區(qū)加熱爐，單晶爐，高溫?zé)Y(jié)爐，單溫區(qū)，雙溫區(qū)、多溫區(qū)液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設(shè)備。