續(xù)航時間達(dá) 18小時

數(shù)字化產(chǎn)品

?主體材質(zhì)可選鋁，更的導(dǎo)熱性能和便攜性多參數(shù)顯示和輸出：溫度、壓力、流量等?可選 可優(yōu)于0.5

可測 ，0.01~?響應(yīng)時間快，優(yōu)于10ms

內(nèi)置98種氣體

可現(xiàn)場標(biāo)定混合氣體（多5種成分），并存儲20種混合氣



ENOB=（SINAD-1.76dB）/6.2，其中1.76為理想ADC的量化噪聲，6.2為將log2轉(zhuǎn)化為log1的系數(shù)比。很明顯，SINAD越大，ENOB越大，而提升SINAD的方法就是 關(guān)注與測試精度有關(guān)的電路。在數(shù)字示波器的架構(gòu)中，與測試精度有關(guān)的電路有：前端采集電路、ADC采樣電路。被測信號經(jīng)前端采集電路進(jìn)行調(diào)理后傳輸給ADC進(jìn)行采樣。其中前端采集電路及ADC采樣電路對ENOB有較大影響，實(shí)際工作時，偏置誤差，非線性誤差，增益誤差，隨機(jī)噪聲，甚至還有ADC交織引起的噪聲都會增大ENOB。ENOB說明了什么ENOB是衡量ADC性能的標(biāo)尺，若示波器ENOB指標(biāo)好，那么偏置誤差、增益誤差、非線性度等都較小，同時帶寬噪聲也較低。如果主要被測信號是正弦波信號，那么ENOB就需要 關(guān)注。通常示波器都由前端電路衰減器、放大器等信號調(diào)理電路、ADC采樣電路組成，在設(shè)計的時候，會在前端采用各種射頻技術(shù)，各種頻率響應(yīng)方式，實(shí)現(xiàn)的頻響平坦度，以便ADC采樣時失真，增大ENOB指標(biāo)。判斷ENOB的大小3.11.底噪示波器在不同垂直檔位及偏置下的底噪大小是評估示波器測量質(zhì)量的一個重要依據(jù)，通過觀測底噪大小，可以判斷前端采集電路和ADC采樣電路設(shè)計的優(yōu)劣，因?yàn)槭静ㄆ鞯牡自霑黾宇~外的抖動并較小設(shè)計裕量，對測試結(jié)果造成較大的影響。


CSP(ChipScalePACkage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。

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