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供應(yīng)磷化銦（InP）單晶片用于制備LD、HEMT等器件

	價(jià)格：\u9762\u8bae 元(人民幣)	產(chǎn)地：福建廈門
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：福建廈門
	上架時(shí)間：2025-03-27 19:17:07	瀏覽量：15
	廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司
	經(jīng)營(yíng)模式：	公司類型：
	所屬行業(yè)：分立半導(dǎo)體	主要客戶：
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產(chǎn)品參數(shù)
品牌	中芯晶研
批號(hào)	最新
封裝	單片包裝
包裝	盒裝
材料	磷化銦（InP）
拋光	單面或雙面
總厚度變化	<10um
彎曲度	<10um
翹曲度	<12um
數(shù)量	10
可售賣地	全國(guó)
型號(hào)	N型、P型、半絕緣

磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體，與 GaAs 和大多數(shù) III-V 半導(dǎo)體相同，具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)。InP 可以通過(guò)白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備，也可以通過(guò)在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過(guò)三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來(lái)制備�？商峁�2”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數(shù)以2寸的為例：

1. InP 晶片參數(shù)

2. InP 襯底應(yīng)用
InP可用于制備高功率和高頻電子設(shè)備，因?yàn)樗鄬?duì)于更常見(jiàn)的半導(dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度。它與InGaAs一起用于制造破紀(jì)錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（pHEMT），其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。InP作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料，可以實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。

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