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測量

雙晶探頭測量模式

從激勵脈沖后的精確延遲到第一個回波之間的時間間隔。

自動回波到回波（可選）

在兩個連續(xù)底面回波之間的時間間隔，不計漆層或涂層的厚度。

穿透涂層測量 （可選）

利用單個底面回波，測量金屬的實際厚度和涂層厚度（使用D7906-SM和D7906探頭）

單晶探頭測量模式（可選）

模式1：激勵脈沖與第一個底面回波之間的時間間隔。
模式2：延遲塊回波與第一個底面回波之間的時間間隔（使用延遲塊或水浸式探頭）
模式3：在激勵脈沖之后，位于第一個表面回波后的相鄰底面回波之間的時間間隔（使用延遲塊探頭或水浸式探頭）。

厚度范圍

0.080 mm～635 mm（0.003 in.～25.0 in.）視材料、探頭、表面條件、溫度和所選配置而定（要測量全的范圍需要使用單晶選項）

材料聲速范圍

0.508 mm/μs～18.699 mm/μs（0.020 in./μs～0.7362 in./μs）

分辨率（可選擇）

低分辨率：0.1毫米（0.01英寸）
標準分辨率：0.01毫米（0.001英寸）
單晶選項：0.001毫米（0.0001英寸）

探頭頻率范圍

標準：2.25 MHz～30 MHz（-3 dB）高穿透（單晶選項）：0.50 MHz～30 MHz（-3 dB）