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140DRA84000除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系�；旧希琒OA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORing FET應(yīng)用中，首要問題是：在"完全導(dǎo)通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。 

  若設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)熱插拔功能，SOA曲線也許更能發(fā)揮作用。在這種情況下，MOS管需要部分導(dǎo)通工作。SOA曲線定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。 

  注意剛剛提到的額定電流，這也是值得考慮的熱參數(shù)，因?yàn)槭冀K導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。細(xì)言之，在實(shí)際測量中其代表從器件結(jié)(對于一個垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗，在數(shù)據(jù)手冊中有描述。若采用PowerQFN封裝，管殼定義為這個大漏極片的中心。因此，RθJC 定義了裸片與封裝系統(tǒng)的熱效應(yīng)。RθJA 定義了從裸片表面到周圍環(huán)境的熱阻抗，而且一般通過一個腳注來標(biāo)明與PCB設(shè)計(jì)的關(guān)系，包括鍍銅的層數(shù)和厚度。 

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140DRA84000 開關(guān)電源中的MOS管 

  現(xiàn)在讓我們考慮開關(guān)電源應(yīng)用，以及這種應(yīng)用如何需要從一個不同的角度來審視數(shù)據(jù)手冊。從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能(圖2)，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負(fù)載。目前，設(shè)計(jì)人員常常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。 

開關(guān)電源上的MOS管選擇方法 

圖2：用于開關(guān)電源應(yīng)用的MOS管對。(DC-DC控制器) 

  顯然，電源設(shè)計(jì)相當(dāng)復(fù)雜，而且也沒有一個簡單的公式可用于MOS管的評估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為什么至關(guān)重要。傳統(tǒng)上，許多電源設(shè)計(jì)人員都采用一個綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))來評估MOS管或?qū)χM(jìn)行等級劃分。 

  柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因?yàn)槎叨紝﹄娫吹男视兄苯拥挠绊憽π视杏绊懙膿p耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。