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新一代單晶硅壓力變送器

國(guó)內(nèi)壓力變送器變革歷程

上世紀(jì)三線建設(shè)時(shí)期的60年代至70年代，工業(yè)企業(yè)在廣大中西部遍地開花，當(dāng)時(shí)工業(yè)變送器已經(jīng)開啟國(guó)產(chǎn)化，大量使用力平衡式DDZ-Ⅱ型、DDZ-Ⅲ型變送器，相比新一代單晶硅壓力變送器，精確度很低，性能穩(wěn)定性差，故障率高。

伴隨改革開放80年代國(guó)門打開，西安彼表廠與美國(guó)羅斯蒙特公司合作，生產(chǎn)出1151系列變送器，開啟國(guó)外變速器進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)先例，隨后日本富士FC系列、日立EDR/EPR系列變送器由上海自動(dòng)化儀表一廠、蘭煉儀表廠、大連儀表廠引進(jìn)生產(chǎn)。

90年代更多外國(guó)品牌進(jìn)入中國(guó)。四川儀表總廠與橫河公司合資生產(chǎn)EJA系列變送器;ABB公司與中國(guó)威爾泰公司合作，生產(chǎn)MV2000T智能變送器;日本富士與浙大中控儀表公司合作生產(chǎn)CXT變送器;西門子、德國(guó)E+H、ABB等公司也都在中國(guó)建立了變送器生產(chǎn)線。

壓力變送器發(fā)展速度很快，基本上十年革新一次，上述三個(gè)時(shí)代，大體可以劃分為模擬、智能和現(xiàn)場(chǎng)總線三代產(chǎn)品。

新一代單晶硅壓力變送器特點(diǎn)

新一代單晶硅壓力變送器，其單晶硅是硅的單晶體，具有金剛石晶格，采用切、磨、拋、光刻、鍵合、膜屏蔽等先進(jìn)的工藝技術(shù)和流程，對(duì)敏感元件加工。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)顯著。

卓越的抗干擾能力。立格單晶硅壓力變送器全隔離封裝，將單晶硅敏感元件絕緣安裝在傳感器膜盒內(nèi)部，具有避免測(cè)量和環(huán)境溫度變化、電氣干擾、機(jī)械振動(dòng)的影響。

出色的高頻響應(yīng)能力。單晶硅本身屬性，固有諧振頻率超過(guò)500Hz，壓力傳遞到敏感元件上，立即被感應(yīng)被轉(zhuǎn)換為信號(hào)輸出，整體響應(yīng)時(shí)間不超過(guò)5mS，適合高頻動(dòng)態(tài)場(chǎng)合應(yīng)用。

強(qiáng)大抗過(guò)載能力。立格單晶硅壓力變送器具有雙過(guò)載保護(hù)技術(shù)，中心膜片和隔離膜片組成雙過(guò)載保護(hù)�？v然壓力過(guò)載，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)也不會(huì)讓填充液再傳遞給敏感元件，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)載保護(hù)。并且恢復(fù)正常后不影響測(cè)量。

高精度傳輸。傳感器模塊化結(jié)構(gòu)，所有計(jì)算數(shù)據(jù)均保留于傳感器膜盒內(nèi)部自帶內(nèi)存中，在后續(xù)生產(chǎn)和維修時(shí)，變送模塊讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)，能實(shí)現(xiàn)高精度輸出。

單晶硅壓力變送器與電容壓力變送器和擴(kuò)散硅壓力變送器的優(yōu)勢(shì)

曾經(jīng)流行的傳統(tǒng)電容壓力變送器，雖然各彼表廠努力改進(jìn)性能，一度因?yàn)檫x用選用性價(jià)比高的隔離型變送模塊，備受市場(chǎng)矚目。主要從改良金屬電容抗干擾能力，可惜與外部短接的結(jié)構(gòu)缺陷，無(wú)法徹底改變。全隔離的單晶硅傳感器在抗干擾方面優(yōu)勢(shì)巨大。

相對(duì)用戶規(guī)模大的經(jīng)濟(jì)型擴(kuò)散硅壓力變送器，單晶硅壓力變送器在微差壓狀態(tài)下，其優(yōu)勢(shì)顯示出一騎絕塵之勢(shì)。在現(xiàn)場(chǎng)工況環(huán)境苛刻的背景下，單晶硅壓力變送器優(yōu)勢(shì)不容替代。是流程工業(yè)領(lǐng)域壓力變送器革新性產(chǎn)品。