微控?cái)U(kuò)散爐 |
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擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對(duì)所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。 擴(kuò)散爐技術(shù)指標(biāo): 可處理硅片尺寸:2—12英寸 外型形式:臥式1—4管結(jié)構(gòu) 工作溫度:200℃—1300℃ 恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度:200mm—1100mm≤±0.5℃ 單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性、重復(fù)性: ≤±1℃/24h 溫度斜變: 可控升溫速率15℃/min 可控降溫速率: 5℃/min 送片裝置:全自動(dòng)懸臂推拉舟、拉桿式推拉舟 氣路系統(tǒng):1—5路工藝氣體/管 氣體控制:全自動(dòng)MFC 控制方式:工控機(jī)、觸摸屏 |
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